西數4TB也上市 近期硬盤內存新品匯總

    泡泡網硬盤頻道11月29日 已經接近年底，對硬件廠商來說該是歇歇的時候了，不過此時硬盤、內存與固態硬盤卻開始發威，11月不少新品上市了，西數4TB也正式開賣，從3TB轉眼就到了現在的4TB，硬盤容量的提升速度讓人驚嘆。

    4TB大小的硬盤掛掉了會不會心痛呢？Western Digital Black 4TB 正式出貨了。此塊硬盤具體型號為WD4001FAEX。WD Black系列硬盤是該公司消費端市場的效能級產品，當然7200轉的效能不能與10,000 RPM的迅猛龍相互比較。全新的WD黑4TB加入之后，讓Black系列從原本500GB，1TB，1.5TB，2TB等產品更為完整。

    WD4001FAEX采用的SATA 6Gb/s接口，緩存為64MB，5年質保。WD黑盤4TB的售價為339美金，約2112元人民幣。

    2.5寸硬盤總是在容量欠缺火候，偶爾上去了還伴隨著身段的“臃腫”，比如西數的那款WD20NPVT 2TB就達到了14.8毫米，用作移動硬盤都費勁?，F在，日本秋葉原市場上出現了東芝的一款1.5TB 2.5寸硬盤，產品編號“MQ01ABC150”，雖然容量小了一些，但厚度“僅為”12.7毫米。

    即便這依然要比筆記本硬盤標準的9.5毫米大了不少，無法裝入普通筆記本里，但在這個檔次上已經算是很薄的了，無論當成移動硬盤還是用于HTPC都方便不少。
 
    不過奇怪的是，東芝官方網站上卻找不到這款型號，只有9.5毫米標準厚度的MQ01ABD系列，但最大容量僅為1TB。估計是從OEM渠道溜出來的吧，或者尚未正式發布。
 
    因為資料欠缺，規格方面也所知甚少，據稱是SATA 3Gbps接口、5400RPM轉速、8MB緩存，倒是和MQ01ABD系列很像。
 
    價格要11980日元，約合人民幣935元。散裝。

    消息來源：驅動之家

    德州奧斯丁大學的研究人員和硬盤制造商合作，利用嵌段共聚物（block copolymers）的定向自組裝特效創造出一種新型的硬盤，其容量能比今天的型號增加五倍。最重要的，新技術兼容現有的制造工藝。研究論文發表在《科學》期刊上。除了高速自組裝和兼容性外，新的技術還解決了一個現實的迫切需求。

    硬盤的數據存儲正逼近它的極限，磁盤上構成數據的磁點間的距離正越來越近。今天的硬盤行業已經達到每平方英寸1TB數據，如果數據進一步密集，磁點間的磁場將會開始發生相互作用，數據將可能損壞。使用嵌段共聚物將讓磁點間不存在磁場成為可能，不用再擔心密集帶來的相互作用。

    加州理工學院的物理學家們表示，他們已經取得了驚人的339Gbps數據傳輸速度，這相當于每天下載1萬部2小時的電影。

    這種數據傳輸速度突破之處，在于采用快速數據傳輸（FDT）應用程序，這個應用程序由布加勒斯特Polytehnica團隊和加州理工學院團隊聯合研發，是一個開放源碼的Java應用程序。 FDT運行在所有主要平臺上，并使用NIO庫實現穩定的磁盤讀取，和與遠程網絡之間的平滑數據流寫入協調。

    加州理工學院的物理學家們創下的新紀錄，超越了任何光纖傳輸速度。另外，他們還成功地在單個鏈路上進行雙向數據傳輸，速度也創下了破紀錄的187 Gbps，他們表示，這個速度在未來幾年當中還將翻三翻。

    據加州理工學院表示，在不那么遙遠的未來數據傳輸速度可以達到1TB每秒。目前，谷歌高速光纖網絡數據傳輸速度為360Mbps。

    金士頓的SSDnow V系列一直都堅守著入門領域，一般都采用較為廉價的解決方案，雖然性能不算強悍，但也能夠滿足用戶的日常需求了。
 
    金士頓日前推出了SSDnow V家族的最新型號SSDnow V300，一改此前采用廉價主控的策略，使用了目前主流的Sandforce SF2281主控芯片，相對上一代產品在性能方面有了極大的提升。

    金士頓SSDnow V300采用了19nm制程的閃存芯片，供貨商應該是東芝。容量方面有60GB、120GB以及240GB三款，厚度均為7mm，采用SATA 6Gbps接口，最大持續讀寫速度都能達到450MB/s左右，工作溫度0-70度。
 
    隨即讀寫能力方面，60GB版本的隨機讀取能力為85000IOPS、隨機寫入能力60000IOPS，TBW（寫入數據總量）為32TB；120GB型號的隨機讀取能力也是85000IOPS，隨機寫入能力55000IOPS，TBW為64TB；而240GB型號的隨機讀取能力同為85000IOPS，隨機寫入能力為43000IOPS，TBW則是128TB。

    消息來源：驅動之家

    早在今年8月份的時候三星就宣布量產ultra-fast eMMC存儲芯片，目前這一芯片已經開始移植到最新一代的產品中來。根據三星的官方描述這個存儲芯片已經從原有的20nm制程進入到10nm，并且新的 64GB eMMC Pro Class 2000 比前代產品在外觀上小20%，性能和勞動生產效率方面比前代產品提升了30%。

    盡管最新的芯片依然采用JEDEC的eMMC 4.5接口標準，不過三星表示在明年的時候將迎來新的接口設計以提升產品的傳輸性能。

    目前這款產品的寫速度達到了2,000 IOPS（每秒的輸入吞吐量）而讀速度達到了5000 IOPS。而前代產品的讀寫速度僅為1500/3500 IOPS，同時在帶寬方面讀寫也達到了260MB/s和50MB/s。

    美國亞利桑那州的Everspin科技公司近日宣布，它們已成為世界首家MRAM(磁性隨機存儲器)供應商，為其選定的客戶推出其自有的ST-MRAM(轉矩磁阻隨機存取存儲器)芯片。這種非易失性存儲介質據稱比當前的SSD快500倍，但價格也是50倍。在性能方面，ST-MRAM的規格看起來令人印象深刻：16億的IOPS，"高達"3.2GB/s的帶寬，以及納秒級的延遲。

    相比之下，OCZ 512GB的Vertex 4固態硬盤僅有12萬的IOPS，差不多550MB/s的吞吐量，延遲也是毫秒級而不是納秒級。

    重要的是你別激動過頭了——ST-MRAM也有一些不足之處。盡管取得了作為基于NAND的固態硬盤的潛在篡位者的承諾，Everspin并不會將這個技術用于取代固態硬盤，而是作為固態硬盤的一個補充。

    部分原因可能是其高昂的成本?！队嬎銠C世界》預計ST-MART將比當前的FLASH供應價高出約50倍，不過新技術剛開始的時候都是這樣的。還記得SSD售價幾千美金的時候嗎？想當年要42000美金的14GB SSD，我們現在買一個128GB型號的固態硬盤都只需60-70美元。也許我們可以預期MRAM在接下去的10年里也會這樣，時間會告訴我們。

    另一個原因，因為ST-MRAM對高功率的要求，它可能并不是一個理想的SSD替代者。據Everspin稱，常規SSD使用的64GB NAND芯片在使用時僅需80毫瓦的功率。與此相比，1GB的ST-MRAM芯片就需要400毫瓦的使用功率，很明顯ST-MRAM在成為主流閃存存儲產品的替代者之前還有一些路要走。

    因為體積和規格的限制，mSATA接口硬盤的性能一般都不太高，但是Mushkin今天發布的Atlas系列卻敢號稱是世界上最快的mSATA硬盤，而從規格參數看也確實和桌面級產品無二了。

    Mushkin Atlas采用了MO-300 mSATA標準規格，整體尺寸50.80×29.85×4.35毫米，主控制器是流行的SandForce SF-2281，接口SATA 6Gbps，搭載MLC NAND閃存芯片，容量有60GB、120GB、240GB三種，最高持續讀取速度分別可達555MB/s、555MB/s、560MB/s，寫入則可達505MB/s、525MB/s、530MB/s，4KB隨機讀寫最高92000 IOPS、70000 IOPS，平均故障間隔時間也有200萬小時。
 
    技術方面支持BCH ECC、TRIM，并通過了NVELO Dataplex緩存軟件和Intel Smart Response Technology加速技術的認證。
 
    對于mSATA固態硬盤來說，這樣的規格著實驚人，再當緩存盤就有些浪費了，完全可以在超極本等輕薄型筆記本里做主力系統盤。
 
    不過具體價格沒有公布(絕對不會低)，有限質保三年。

    消息來源：驅動之家

    金士頓近期發布了HyperX系列高端DDR3內存的最新款，將其命名為“HyperX Beast”，隸屬于“Predator”(肉食者)家族，提供了多達17種不同規格的套裝版本，是該系列有史以來最豐富的，從雙條8GB 1600MHz到四條32GB 2400MHz再到八條64GB 2133MHz任君選擇。

    HyperX Beast系列面向發燒游戲玩家、PC Modder(改裝玩家)、內容創建工作者和超頻玩家等高端人群，外形上采用了頗為夸張的散熱片設計，兩端高高翹起，中間鋸齒林立，著實有點“怪獸”的樣子，長寬尺寸為132×41.4毫米(安裝的時候注意和散熱器的“兼容”)。

規格概覽：
 
－ 容量：8GB、16GB、32GB、64GB；雙條、四條、八條
 
－ 頻率：1600-2400MHz
 
－ 延遲：CL9、CL10、CL11
 
－ 電壓：1.5V、1.65V
 
－ XMP：認證支持
 
－ 兼容性：Intel P55、H67、P67、Z68、H61 (AG)、X79、Z77；AMD A75、A87、A88、A89、A78、E35 (Fusion)
 
－ 可靠性：100％經過測試
 
－ 質保：終身

    消息來源：驅動之家

    近日鎂光宣布推出一款Low Profile Ballistic系列內存。Crucial表示，半高Ballistic內存的LP內存芯片不僅小于正常的內存芯片，也比競爭對手的半高內存芯片面積小上15%到35%。Crucial也表示，半高Ballistic內存，在性能上和全高Ballistic內存性能相同。

    Crucial全球產品高級經理Jeremy Mortensen表示，半高Ballistic內存為消費者帶來Cruciald高性能內存全部優點，同時封裝尺寸更小，為消費者電腦CPU帶來更大散熱空間，同時降低內存使用功耗。■