代替DRAM 惠普/海力士開發電阻式內存

    泡泡網內存頻道9月6日 近期惠普與海力士達成一項協議，根據協議兩公司將共同研究下一代的內存產品。

    惠普在實驗室里證明了憶阻器（memristor）的存在，現在兩家公司計劃利用憶阻器來開發電阻式內存（ReRAM），憶阻器相比現有的固態存儲技術能耗更低，速度更快，而且能在斷電時存儲數據，如果研制成功的話將會可能代替現有的DRAM和Flash芯片。■