存儲(chǔ)技術(shù)將突破！新技術(shù)性能提升千倍

     自從1989年NAND閃存技術(shù)問世以來，提升速度、容量及可靠性一直是NAND閃存不變的追求，但NAND閃存一直在量變而非質(zhì)變。Intel、美光今天聯(lián)合宣布了3D XPoint閃存技術(shù)，號稱是25年來存儲(chǔ)技術(shù)的革命性突破，速度是目前NAND閃存的1000倍，耐用性也是目前閃存的1000倍，密度是NAND的10倍，而且它的非易失性不僅可以用于NAND硬盤，還可以用于RAM內(nèi)存等，絕對是劃時(shí)代的進(jìn)步。

   在如今的數(shù)據(jù)大爆發(fā)的時(shí)代，數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)及分析成為新的挑戰(zhàn)之一，廠商需要在性能、密度、功耗、非易失性以及成本之間平衡。Intel、美光推出的3D XPoint閃存速度及耐用性是目前NAND閃存的1000倍，容量密度則是NAND閃存的10倍，這將有助于解決目前數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的難題。

    更關(guān)鍵的一點(diǎn)是，3D XPoint閃存不同于目前的NAND閃存及RAM內(nèi)存（兩者不僅性能有差異，關(guān)鍵的是內(nèi)存是數(shù)據(jù)易失性的，斷電就沒數(shù)據(jù)了），它的出現(xiàn)有可能模糊閃存及內(nèi)存的界限，不僅可以用于普通的閃存，還可以用于DRAM內(nèi)存。

    目前美光、Intel的工廠已經(jīng)開始生產(chǎn)3D XPPoint閃存，首款使用3D XPoint閃存的產(chǎn)品預(yù)計(jì)在2016年問世，使用20nm工藝、雙層堆棧的128Gb核心閃存。看得出來，雖然Intel、美光宣傳的3D XPoint閃存非常NB，不過實(shí)際量產(chǎn)還要慢慢來，128Gb核心的容量相比目前的NAND閃存并沒有多大提升。

3D XPoint閃存的優(yōu)勢

3D XPoint閃存的延遲比目前的NAND閃存低1000倍

3D XPoint閃存結(jié)構(gòu)

3D XPoint閃存芯片

3D XPoint閃存晶圓■